CN119501801A 用于晶圆薄膜抛光过程的厚度测量方法及设备 （北京特思迪半导体设备有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119501801A

(43)申请公布日2025.02.25

(21)申请号202510100173.9

(22)申请日2025.01.22

(71)申请人北京特思迪半导体设备有限公司

地址101300北京市顺义区杜杨北街3号院

6号楼（顺创）

(72)发明人周惠言孟炜涛孙昕宇蒋继乐

(51)Int.Cl.

B24B37/013(2012.01)

B24B49/12(2006.01)

B24B37/04(2012.01)

G06F17/11(2006.01)

G06F17/10(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图2页

(54)发明名称

用于晶圆薄膜抛光过程的厚度测量方法及

设备

(57)摘要

CN119501801A本发明提供一种用于晶圆薄膜抛光过程的厚度测量方法及设备，所述方法包括：在对晶圆薄膜进行抛光的过程中，获取所述晶圆薄膜对单波长光束的反射光的光强度对应的电信号un；根据所述电信号u.n和标定系数k计算所述晶圆薄膜对所述单波长反射光的反射率Rn；确定包括前一时刻的厚度在内的一个周期的厚度及反射率对应数据；根据所述反射率Rn在所述一个周期的数据中匹配得到两组数据；比对所述两组数据中的较大厚度与所述厚度，当所述两组数据中的较大厚