碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）试验方法 第7部分：动态高温高湿反偏（DH3TRB）.pdfVIP

ICS31.080.01

CCSL40

中华人民共和国国家标准

GB/TXXXXX—XXXX

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

（SiCMOSFET）试验方法第7部分：动态

3

高温高湿反偏（DHTRB）

Measurementmethodforsiliconcarbidemetal-oxide-semiconductor

field-effecttransistor(SiCMOSFET)—Part7:Dynamichigh-humidity,

3

high-temperaturereversebiastestmethod(DHTRB)

(点击此处添加与国际标准一致性程度的标识)

（征求意见稿