碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）试验方法 第1部分：功率循环编制说明.pdfVIP

国家标准《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC

MOSFET）试验方法第1部分：功率循环》（征求意见稿）

编制说明

一、工作简况

1任务来源

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）试验方法第1部

分：功率循环》标准制定是2026年第一批国家标准计划项目，计划项目批准文号：

国标委发〔2026〕12号，计划代号T-339，由中华人民共和国工业和

信息化部提出，由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口，第一

起草单位为工业和信息化部电子第五研究所，北京第三代半导体产业技术创新战

略联盟、安徽长飞先进半导体股份有限公司、广东工业大学、国芯微电子（广东）

有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、比亚迪半导体股份有限公司、

江苏宏微科技股份有限公司、广东芯聚能半导体有限公司、忱芯科技(上海)有限

公司、清纯半导体（宁波）有限公司、东南大学、深圳平湖实验室、泰科天润半

导体科技（北京）有限公司、浙江大学绍兴研究院、浙江大学、东莞南方半导体

科技有限公司、深圳市禾望电气股份有限公司、西安交通大学、浙江翠展微电子

有限公司、广东力德诺电子科技有限公司参与编制。项目周期：6个月