碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）试验方法 第2部分：高温栅偏编制说明.pdfVIP

国家标准《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC

MOSFET）试验方法第2部分：高温栅偏》（征求意见稿）

编制说明

一、工作简况

1.1任务来源

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）试验方法第2

部分：高温栅偏》标准制定是2026年第一批推荐性国家标准采信团体标准计划项

目，计划项目批准文号：国标委发﹝2026﹞12号，计划代号T-339，

由中华人民共和国工业和信息化部提出，由全国半导体器件标准化技术委员会

（SAC/TC78）归口，第一起草单位为忱芯科技(上海)有限公司，北京第三代半

导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、广电计量检测集

团股份有限公司、北京怀柔实验室、深圳平湖实验室、东南大学、安徽长飞先进

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力（长春）科技有限公司