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2026长鑫存储内推免筛在线笔试必做试题及答案.doc

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    2026长鑫存储内推免筛在线笔试必做试题及答案

    一、单项选择题（每题2分，共20分）

    1.在DRAM单元中，用于存储“1”与“0”的本质物理量是

    A.栅氧厚度差异?B.沟道载流子类型?C.存储电容电荷量?D.位线电压极性

    2.28nm以下节点为提高字线驱动能力，通常采用的材料组合是

    A.Al/TiN?B.W/TiN?C.Cu/TaN?D.Co/Ru

    3.下列哪一项不是RowHammer防护的硬件级对策

    A.目标行刷新TRR?B.伪随机地址扰码?C.字线电压负偏置?D.ECC纠错码

    4.1T1CDRAM单元在读出过程中最致命的噪声

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