碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）试验方法 第7部分：动态高温高湿反偏（DH3TRB）编制说明.pdfVIP

国家标准《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC

MOSFET）试验方法第7部分：动态高温高湿反偏

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（DHTRB）》（征求意见稿）编制说明

一、工作简况

1任务来源

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）试验方法第7部

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分：动态高温高湿反偏（DHTRB）》标准制定是2026年第一批国家标准计划项

目，计划项目批准文号：国标委发〔2026〕12号，计划代号T-339，

由中华人民共和国工业和信息化部提出，由全国半导体器件标准化技术委员会

（SAC/TC78）归口，第一起草单位为工业和信息化部电子第五研究所，忱芯科

技(上海)有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、安徽长飞先进半

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科技有限公司、中国科学院电工研