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2020长鑫存储秋招提前批在线试题100%覆盖原题答案

一、单项选择题（总共10题，每题2分）

1.在半导体存储器中，DRAM和SRAM的主要区别是（）。

A.DRAM需要刷新，SRAM不需要

B.SRAM需要刷新，DRAM不需要

C.DRAM和SRAM都不需要刷新

D.DRAM和SRAM都需要刷新

2.以下哪种存储器属于非易失性存储器？（）

A.SRAM

B.DRAM

C.Flash

D.Cache

3.在CMOS工艺中，NMOS和PMOS的主要区别是（）。

A.载流子类型不同

B.阈值电压相同

C.导电沟道相同

D.制造工艺相同

4.在数字电路中，以下哪个逻辑门可以实现“与”功能？（）

A.OR

B.AND

C.NOT

D.XOR

5.在存储器芯片设计中，以下哪个参数直接影响存储密度？（）

A.工作电压

B.单元尺寸

C.刷新周期

D.访问时间

6.以下哪种存储器通常用于CPU的高速缓存？（）

A.DRAM

B.SRAM

C.Flash

D.R