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GB/T14847-2025测试方法培训

目录

02

测试原理

01

标准概述

03

测试设备与材料

04

操作步骤

05

数据分析与处理

06

培训总结

标准概述

01

标准背景与制定目的

国际接轨要求

为适应全球半导体产业技术协同趋势，标准制定参考了ASTMF1391等国际先进方法，确保测试数据在国际贸易中的互认性。

行业规范统一

此前国内缺乏针对重掺杂衬底上轻掺杂外延层的专项测试标准，导致不同厂商测量结果可比性差，影响产业链上下游协作效率，本标准填补了这一技术空白。

技术发展需求

随着半导体制造工艺的精细化发展，轻掺杂硅外延层厚度控制精度要求提升至纳米级，传统测量方法已无法满足当前产业需求，亟需建立高精度、非破坏性的标准化测试方法。

本标准明确规定了红外反射法在特定半导体材料测试中的技术边界和操作规范，为生产质量控制、研发验证提供可靠依据。

专门针对电阻率≤0.02Ω·cm的重掺杂硅衬底上生长的轻掺杂（电阻率≥0.1Ω·cm）外延层，厚度测量范围覆盖1-100μm。

适用材料范围

规定测量系统波长分辨率需达4cm⁻¹以上，厚度测量重复性误差不超过±0.5%，仪器信噪比应高于100:1。

核心性能指标

要求测试环境温度控制在23±2℃，相对湿度低于60%，避免环境因素引起的光学干扰。

环境适应性

适用范围与主要参数

关键术语定义

红外反射光谱特性

明确定义干涉极值点为反射