模拟电子电路章西北工业大学资料.ppt

模拟电子电路章西北工业大学;（优选）模拟电子电路章西北工业大学;结构特点：;;本征半导体;一、半导体中的载流子;本征半导体;一、半导体中的载流子;3、空穴的移动;本征激发和复合的过程（动画1-1）;;;(1）N型半导体;;(2)P型半导体;;;96×1022/cm3

随着外加电压的变化离子薄层的厚度的变化情况。

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自由电子释放能量而进入有空位的共价键，使自由

在N型和P型半导体界面的N型区一侧会形成正离子薄层；

由于载流子浓度不均匀，从浓度大处向浓度小处扩散，形成扩散电流。

PN结的伏安特性曲线如图所示。;(1)势垒电容CB

PN结具有一定的电容效应，它由两方面的因素决定。

价电子离开共价键后留下的空位称为空穴。

由于载流子浓度不均匀，从浓度大处向浓度小处扩散，形成扩散电流。

UT——温度的电压当量

若P区的电位低于N区，电流从N区流到P区，PN结呈高阻性，所以电流小。

PN结的伏安特性曲线如图所示。

2、热力学300K室温，产生自由电子

2-1半导体基础知识

2、热力学300K室温，产生自由电子

三价杂质因而也称为受主杂质。

在电场作用下，载流子定向运动形成的电流。

在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。

在本征半导体中掺入三价杂质元素（如硼、镓、铟等）形成了P型半导体，也称为空穴型半导体。

势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。

１、热力