CN120111951A 一种半导体结构及其制备方法 .pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.89万字
  • 约 19页
  • 2026-05-10 发布于重庆
  • 举报

CN120111951A 一种半导体结构及其制备方法 .pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120111951A

(43)申请公布日2025.06.06

(21)申请号202510272209.1

(22)申请日2025.03.07

(71)申请人上海积塔半导体有限公司

地址201306上海市浦东新区自由贸易试

验区临港新片区云水路600号

(72)发明人刘聪储郁冬董信国

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通

合伙)31219

专利代理师罗泳文

(51)Int.Cl.

H10D84/01(2025.01)

H10D84/85(2025.01)

H10D30/60(2025.01)

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档