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2026年光电器件技术考试题库及答案

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.以下哪种材料不属于直接带隙半导体？

A.GaAs

B.InP

C.Si

D.GaN

答案：C

2.外光电效应的典型应用器件是？

A.光伏电池

B.光电倍增管

C.PIN光电二极管

D.雪崩光电二极管

答案：B

3.LED发光层通常采用的结构是？

A.同质结

B.异质结

C.肖特基结

D.欧姆接触

答案：B

4.半导体激光器实现受激辐射的必要条件是？

A.粒子数反转

B.自发辐射占优

C.材料禁带宽度小于光子能量

D.正向偏压小于开启电压

答案：A

5.以下哪种光电探测器具有内部增益？

A.PIN二极管

B.光电导探测器

C.雪崩光电二极管（APD）

D.光伏探测器

答案：C

6.单结硅基光伏电池的理论效率极限约为？

A.15%

B.29%

C.40%

D.55%

答案：B

7.液晶显示（LCD）中，TN模式的液晶分子初始排列方向是？

A.平行于基板

B.垂直于基板

C.扭曲90度

D.倾斜45度

答案：C

8.光纤通信中，常规单模光纤的主要低损耗窗口是？

A.850nm