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CN119521711A 半导体结构及其形成方法 （浙江创芯集成电路有限公司）.docxVIP

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  • 2026-05-10 发布于山西
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CN119521711A 半导体结构及其形成方法 （浙江创芯集成电路有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119521711A

    (43)申请公布日2025.02.25

    (21)申请号202311038796.5

    (22)申请日2023.08.16

    (71)申请人浙江创芯集成电路有限公司

    地址311200浙江省杭州市萧山区经济技

    术开发区建设三路733号

    (72)发明人盛丽萍吴永玉

    (74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限

    公司11227

    专利代理师吴敏

    (51)Int.Cl.

    H10D30/60(2025.01)

    H10D30/01(2025.01)

    H10D62/13(2025

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