CN119518421A 一种单晶圆上波长可调谐的AlGaN基激光二极管及其制备方法 （北京大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119518421A

(43)申请公布日2025.02.25

(21)申请号202510081285.4

(22)申请日2025.01.20

(71)申请人北京大学

地址100871北京市海淀区颐和园路5号

(72)发明人王新强马文结李鸿渐袁泽兴郭昱成刘放

(74)专利代理机构北京万象新悦知识产权代理

有限公司11360

专利代理师王岩

(51)Int.Cl.

H01S5/10(2021.01)

H01S5/22(2006.01)

H01S5/20(2006.01)

H01S5/065(2006.01)

权利要求书3页说明书6页附图2页

(54)发明名称

一种单晶圆上波长可调谐的AlGaN基激光二

极管及其制备方法

(57)摘要

CN119518421A本发明公开了一种单晶圆上波长可调谐的AlGaN基激光二极管及其制备方法。本发明利用室温干法与湿法结合的刻蚀方法制备出多个二维排列的脊图案阵列，每一个脊图案阵列具有多个不同的脊，每一个具有设定的宽度和形状的脊对应一个激射波长，多个不同的脊分别对应多个不同的激射波长；由有效折射率设计脊图案阵列，脊的宽度和形状影响有效折射率，对横向光学模场和载流子有限制作用，从而影响原子级超薄量子阱发光层的