CN120111912A Igbt器件制备方法及igbt器件 （上海积塔半导体有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120111912A

(43)申请公布日2025.06.06

(21)申请号202510283606.9

(22)申请日2025.03.11

(71)申请人上海积塔半导体有限公司

地址201306上海市浦东新区自由贸易试

验区临港新片区云水路600号

(72)发明人曹功勋

(74)专利代理机构上海隆天律师事务所31282

专利代理师夏彬

(51)Int.Cl.

H10D12/01(2025.01)

H10D12/00(2025.01)

H10D64/01(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

H01L23/538(2006.01)

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