2021长鑫存储研发岗在线测评历年考题及答案整理.docVIP

2021长鑫存储研发岗在线测评历年考题及答案整理

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种半导体存储技术速度最快？

A.DRAM

B.SRAM

C.NANDFlash

D.NORFlash

2.在集成电路制造中，光刻工艺的关键作用是？

A.刻蚀芯片表面材料

B.沉积薄膜材料

C.将电路图案转移到硅片上

D.掺杂特定元素

3.以下关于摩尔定律的描述，正确的是？

A.集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍

B.芯片的性能每隔18-24个月提升两倍

C.芯片的功耗每隔18-24个月降低一半

D.芯片的尺寸每隔18-24个月缩小一半

4.以下哪种不是常见的半导体掺杂元素？

A.硼

B.磷

C.硅

D.砷

5.动态随机存储器（DRAM）的特点是？

A.速度快、成本高、集成度低

B.速度慢、成本低、集成度高

C.速度快、成本高、集成度高

D.速度慢、成本高、集成度低

6.以下关于半导体器件的说法，错误的是？

A.二极管具有单向导电性

B.三极管可用于放大和开关电路

C.MOSFET是一种电压控制型器件

D.晶闸管只能用于整流电路

7.在半导体制造中，CMP（化学机械抛光）工艺主要用于？

A.去除光刻胶

B.平坦化硅片表面

C.刻蚀金属层

D.沉积