碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）试验方法 第5部分：高压高温高湿反偏编制说明.pdfVIP

国家标准《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC

MOSFET）试验方法第5部分：高压高温高湿反偏》（征求

意见稿）编制说明

一、工作简况

1.1任务来源

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）试验方法第5

部分：高压高温高湿反偏》标准制定是2026年第一批推荐性国家标准采信团体标

准计划项目，计划项目批准文号：国标委发﹝2026﹞12号，计划代号：T-339，由中华人民共和国工业和信息化部提出，由全国半导体器件标

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体有限公司、合肥功立德半导体科技有限公司、浙江大学、西安交通大学、湖北

九峰山实验室、中国电子科技集团公司第五十五研究所、江苏宏微科技股份有限

公司、清纯半导体（宁波）有限公司、中国长江三峡集团