碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）试验方法 第5部分：高压高温高湿反偏.pdfVIP

ICS31.080.01

CCSL40

中华人民共和国国家标准

GB/TXXXXX—XXXX

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

（SiCMOSFET）试验方法第5部分：高压

高温高湿反偏

Testmethodsforsiliconcarbidemetal-oxide-semiconductorfield-effect

transistor(SiCMOSFET)—Part5:Highvoltage,hightemperatureandhigh

humidityreversebias

(点击此处添加与国际标准一致性程度的标识)

（征求意见稿）

2026410

（本草案完成时间：年月日）

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