CN119533756A 一种低温漂mems谐振压力传感器敏感芯片及其制备方法 （中电科芯片技术(集团)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119533756A

(43)申请公布日2025.02.28

(21)申请号202411644027.4

(22)申请日2024.11.18

(71)申请人中电科芯片技术（集团）有限公司

地址401332重庆市沙坪坝区西永大道23

号

(72)发明人李光贤袁宇鹏苗晋威张毅张祖伟

(74)专利代理机构重庆辉腾律师事务所50215专利代理师卢胜斌

(51)Int.Cl.

G01L19/04(2006.01)

G01L1/18(2006.01)

G01L9/06(2006.01)

B81B3/00(2006.01)

B81B7/02(2006.01)

B81C1/00(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图4页

(54)发明名称

一种低温漂MEMS谐振压力传感器敏感芯片

及其制备方法

(57)摘要

CN119533756A本发明属于微机电传感器领域，具体涉及一种低温漂MEMS谐振压力传感器敏感芯片及其制备方法；包括：从上至下依次键合连接的盖帽层、谐振层、感压层和隔离基座；盖帽层上设有电极通孔和真空腔凹槽，真空腔凹槽中溅射有吸气剂；谐振层上设有两个Si_SiO2复合谐振器和多个引线盘，每个引线盘上设置有金属电极；金属电极与盖帽层电极通