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2026年长鑫存储在线试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.在DRAM单元中，用于存储“1”与“0”的本质物理量是

A.栅氧电荷密度B.电容两端电压差C.沟道载流子浓度D.位线电流方向

2.长鑫存储1xnm级DRAM采用的高κ介质材料主要目的是

A.降低亚阈斜率B.提高栅极漏电流C.增大单元电容D.减小字线RC延迟

3.下列哪一项最直接影响DRAM刷新间隔tREF的设定

A.位线长度B.单元漏电流C.读出放大器增益D.bank数量

4.在WL-under-drive方案中，字线负电压的主要作用是

A.抑制亚阈漏电B.提升写入速度C.降低栅氧击穿风险D.减少位线耦合噪声

5.长鑫存储LPDDR5芯片中，用于实现同步时钟抖动的监测模块称为

A.DLLB.PLLC.TDCD.Jitter-DLL

6.对于4F2DRAM单元，若设计规则F=18nm，则理论单元面积为

A.0.025μm2B.0.049μm2C.0.078μm2D.0.129μm2

7.在1ynm节点，长鑫采用的气隙位线（Air-gapBitline）技术主要降低

A.位线-位线耦合电容B.字线电