CN119789423A 半导体结构及其制备方法 （长鑫科技集团股份有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119789423A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202510281055.2

(22)申请日2025.03.11

(71)申请人长鑫科技集团股份有限公司

地址230601安徽省合肥市经济技术开发

区空港工业园兴业大道388号

(72)发明人曹堪宇黎冠杰孟皓吴楠

(51)Int.Cl.

H10B12/00(2023.01)

权利要求书3页说明书13页附图11页

(54)发明名称

半导体结构及其制备方法

(57)摘要

一种半导体结构及其制备方法，该半导体结

构的制备方法包括：形成位于衬底上的叠层结

构；在叠层结构中