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2025长鑫存储内推免筛在线笔试必做试题及答案

一、单项选择题，每题2分，共20分

1.在DRAM单元中，用于保持数据电荷的元件是

A.电容B.电阻C.电感D.二极管

2.下列哪一项不是3DNAND相比平面NAND的优势

A.单位面积容量提升B.单比特成本下降

C.随机写延迟降低D.可靠性提高

3.在半导体工艺中，用于定义栅极长度的核心工序是

A.离子注入B.光刻C.化学机械抛光D.快速热退火

4.长鑫存储第一代DDR4颗粒采用的工艺节点约为

A.19nmB.17nmC.14nmD.10nm

5.下列哪种失效模式与TDDB（经时介电击穿）直接相关

A.栅氧退化B.热载流子注入C.金属电迁移D.应力迁移

6.在DRAM刷新操作中，决定刷新周期的关键参数是

A.tRCDB.tRPC.tREFID.tWTR

7.用于描述存储器在断电后保持数据能力的术语是

A.持久性B.保持性C.耐久性D.保持窗口

8.下列哪项测试最能筛选早期潜在缺陷

A.高温老化B.低温功能C.室温速度D.待机电流

9.在ECC方案中，SECDED代表

A.