电子行业：AI推理时代下的存储创新，从被动记录到存算融合——海外存储深度报告（二）.docxVIP

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AI推理时代下的存储创新：从被动记录到存算融合 ---海外存储深度报告（二）报告摘要：

TrendForce预计2026年一季度ConventionalDRAM合约价上涨90-95%。（1）需求侧，在不考虑HBM增量的情况下，单台八卡AI服务器的DRAM用量是传统服务器的6-7倍。根据《日经亚洲》报道，预计到2027年底DRAM产能只能满足全球60%需求。

（2）供给端，存储厂CAPEX增长保守，叠加产能向HBM倾斜，每制造1颗HBM芯片，大约需要3颗同等容量标准DRAM的晶圆产能，导致整体产能刚性、扩产有限。目前全球主要DRAM制造商三星、SK海力士及美光都积极增加产能，但绝大部分新建产能最快要到2027年才能上线，有些产能甚至需要等到2028年才会开出。2026年除了SK海力士2月于韩国清州一座新厂投入量产外，三家制造商几乎没有更多产线贡献产能。

下一代存储创新：从被动器件转为参与计算的关键组件。存储厂商的创新核心围绕解决AI推理时代的存储瓶颈，特别是应对KV缓存爆炸式增长、agent带来的低延迟需求、以及处理长文本序列带来的挑战。创新主要体现在HBF、英伟达BlueFieldDPU、LPU、智能存储软件等，旨在将存储从被动器件转变为主动参与计算的关键组件。

HBF