ZnMgO薄膜与ZnMgO_ZnO异质结：制备工艺与性能的深度探究.docx

ZnMgO薄膜与ZnMgO/ZnO异质结：制备工艺与性能的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今光电器件领域，ZnMgO薄膜和ZnMgO/ZnO异质结凭借其独特的物理性质，展现出了巨大的应用潜力，成为了研究的热点。ZnO作为一种重要的直接宽带隙半导体材料，具有原材料丰富、价格低廉、无毒、化学稳定性好等优点，在光电器件应用中备受关注。其晶体结构为六方纤锌矿结构，禁带宽度为3.37eV，在室温下具有较大的激子结合能（60meV），这使得ZnO在室温下能够实现高效的激子复合发光，在紫外发光二极管（UV-LED）、激光二极管（LD）等光电器件领域展现出良好的应用前景。然