2026年长鑫存储内推笔试专属试题及满分答案.docVIP

2026年长鑫存储内推笔试专属试题及满分答案

一、单项选择题，(总共10题，每题2分)

1.在DRAM存储单元中，用于保持数据的最关键晶体管类型是

A.高阈值NMOSB.低阈值NMOSC.耗尽型PMOSD.鳍式场效应管

2.3DNAND中，同一垂直串内各层Cell的栅极通过何种结构实现电气连接

A.钨塞B.多晶硅桥C.共源极墙D.阶梯接触

3.长鑫存储19nmDRAM工艺中，位线材料由传统钨改为

A.铜B.钴C.铝铜合金D.钌

4.下列哪一项不是RowHammer缓解技术

A.TRRB.PPRC.MACD.ECC

5.在1ynm节点，为提高电容耦合系数，深沟槽电容深宽比最接近

A.20:1B.40:1C.60:1D.80:1

6.存储器测试机台中，用于捕获瞬态故障的算法最常采用

A.MarchC-B.CheckerboardC.GalpatD.Butterfly

7.长鑫LPDDR5颗粒在1.05V下运行3200Mbps时，I/O端接模式为

A.POD22B.POD18C.POD12D.SSTL15

8.下列哪项不是ONFI5.0协议新增特性

A.