CN119553364A 单晶层、特别是压电层的制造方法 （索泰克公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119553364A

(43)申请公布日2025.03.04

(21)申请号202411652636.4

(22)申请日2016.12.21

(30)优先权数据

15630552015.12.22FR

(62)分案原申请数据

201680080405.82016.12.21

(71)申请人索泰克公司地址法国伯尔宁

(72)发明人布鲁诺·吉瑟兰J-M·贝斯奥谢

(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限

公司11127

专利代理师庞东成龚泽亮

(51)Int.Cl.

C30B25/18(2006.01)

H10N30/093(2023.01)

H10N30/853(2023.01)

C30B29/22(2006.01)

权利要求书2页说明书11页附图5页

(54)发明名称

单晶层、特别是压电层的制造方法

(57)摘要

CN119553364A本发明涉及单晶层、特别是压电层的制造方法。所述方法包括以下连续步骤：提供包含具有A’B’O3组成的压电材料的供体衬底(100)；在压电材料A’B’O3上通过外延来生长具有A”B”O3组成的单晶层(103)；提供受体衬底(110)；将具有A”B”O3组成的外延层(103)的至少一部分转移至受体衬底(11