CN119553367A 一种硅酸镓铌钽钙压电晶体材料及其制备方法与用途 （宁波大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119553367A

(43)申请公布日2025.03.04

(21)申请号202510112983.6

(22)申请日2025.01.24

(71)申请人宁波大学

地址315211浙江省宁波市江北区风华路

818号

(72)发明人郑燕青艾蕾潘尚可孙志刚姜林文李星

(74)专利代理机构北京风雅颂专利代理有限公司11403

专利代理师郑颖颖

(51)Int.Cl.

C30B29/34(2006.01)

C30B11/00(2006.01)

C30B28/02(2006.01)

G01D5/12(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图2页

(54)发明名称

一种硅酸镓铌钽钙压电晶体材料及其制备

方法与用途

(57)摘要

CN119553367A本发明公开了一种硅酸镓铌钽钙压电晶体材料及其制备方法与应用，硅酸镓铌钽钙压电晶体材料属于三方晶系，空间群为P321，化学式为Ca3(Nb0.2Ta0.8)Ga3Si2O14，室温下相对介电常数大于18，相对介电常数大于24.6，压电常数d11大于4.2pC/N，600℃下机电耦合系数k12大于12.90%，800℃下电阻率大于2.2×107Ω·cm，使得硅酸镓铌钽钙