CN119553362A 一种基片台及基片的生长方法 （钱塘科技创新中心）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119553362A

(43)申请公布日2025.03.04

(21)申请号202311130153.3

(22)申请日2023.09.01

(71)申请人钱塘科技创新中心

地址310000浙江省杭州市经济技术开发

区白杨街道23号大街1002号5号楼

(72)发明人彭祖军何申伟黄雪润庞体强杨家乐潘鹏

(74)专利代理机构上海波拓知识产权代理有限

公司31264

专利代理师林丽璀

(51)Int.Cl.

C30B25/12(2006.01)

C30B29/04(2006.01)

C23C16/458(2006.01)

C23C16/511(2006.01)

权利要求书1页说明书10页附图7页

(54)发明名称

一种基片台及基片的生长方法

(57)摘要

CN119553362A本申请涉及一种基片台及基片的生长方法，基片台用于容纳基片，包括底座和至少一盖板；底座上设有至少一第一凹腔，第一凹腔的侧壁具有与基片相抵接的部分；盖板上设有至少一通孔，盖板可更换地与底座配合，不同盖板的厚度不同；盖板与底座配合时，第一凹腔的投影位于通孔的投影边缘的内部，盖板的上表面高于基片的上表面。在基片生长过程中，根据基片所处的生长阶段，更换不同厚度的盖板，使更换后的盖板的