高压处理对ZnO纳米晶微观结构与电学特性的多维度解析
一、引言
1.1研究背景与意义
随着纳米科技的飞速发展,纳米材料因其独特的物理和化学性质,在众多领域展现出巨大的应用潜力。氧化锌(ZnO)作为一种重要的直接宽禁带半导体纳米材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,具备优异的光电性能、催化活性和生物相容性等特点,在光电子、催化、生物医学、涂料和橡胶工业等领域得到了广泛的研究与应用。
在光电子领域,凭借其宽带隙和强激子结合能,ZnO纳米晶被广泛应用于紫外光电器件,如紫外探测器、紫外发光二极管(UV-LEDs)和激光二极管等。与传统的发光材料相比,基于ZnO
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