陶瓷烧结优化策略探究.pptxVIP

陶瓷烧结过程;烧结的驱动力;烧结过程;烧结方法;常压烧结;窑炉类型;电炉发热体;钟罩窑、梭式窑;辊道窑、推板窑;隧道窑;促进烧结的方法;真空烧结、气氛烧结;氮化硅陶瓷的无压烧结;氮化硅的气压烧结

（GasPressureSinteringGPS）;热压烧结（HotPressing,HP）;热等静压

（HotIsostaticPressing,HIP）;埋粉（Si3N4：BN：MgO=5:4:1）抑制氮化硅分解

真空电阻炉：钨丝或石墨发热体（、2300C、可高真空、可通惰性保护气体N2、Ar）

粉体颗粒间的粘接、致密化

降低烧成温度、缩短烧成时间

硅碳棒，SiC（1400C）

真空电阻炉：钨丝或石墨发热体（、2300C、可高真空、可通惰性保护气体N2、Ar）

对于氮化硅常压烧成温度要低于1800C，而气压烧结温度可提升到2100-2390C。

为了抑制氮化物分解，在N2气压力1-10MPa高压下烧成。

热压烧结（HotPressing,HP）

热压烧结（HotPressing,HP）

微波吸收材料（损耗介质）：

降低烧成温度、缩短烧成时间

对模具或样品直接施加大脉冲电流，通过热效应或其它场效应，使试样烧结;材料与微波的相互作用;材料与微波的相互作用;放电等离子烧结

（SparkPlasmaSintering,SPS）;放电等离子烧结原理;降低烧成温度、缩