无机场效应晶体管FET及其类型与传统硅基FET区别.pdf

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无机场效应晶体管(FET)

场效应晶体管(FET)器件可以分为:

•结型场效应晶体管

•耗尽型金属氧化物场效应晶体管

•增强型金属氧化物场效应晶体管

MOSFET的N沟道和P沟道

如果MOSFET是n沟道或nMOS场效应晶体管,则源极和漏极是

n+区域和体区是p区域。

如果MOSFET是P沟道或PMOSFET,那么源极和漏极是p+区域,而

体区域是n区域。

Inorgani

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