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(2025年)集成电路工艺原理期末试题附答案

一、选择题（每题2分，共20分）

1.以下关于热氧化过程的描述中，错误的是（）

A.干氧氧化的氧化层密度高于湿氧氧化

B.高温下（1000℃）氧化速率由硅表面化学反应速率控制

C.氧化层厚度与时间的关系在初始阶段符合线性规律，后期符合抛物规律

D.氧化过程中，氧气或水汽需通过已形成的氧化层扩散到硅表面

2.光刻工艺中，若要获得0.1μm的分辨率，最可能采用的曝光光源是（）

A.紫外光（g线，436nm）

B.深紫外光（DUV，193nm）

C.极紫外光（EUV，13.5nm）

D.X射线（0.1-10nm）

3.干法刻蚀中，刻蚀选择比定义为（）

A.被刻蚀材料的刻蚀速率与掩膜材料的刻蚀速率之比

B.刻蚀后图形侧壁与底面的夹角

C.刻蚀深度与横向刻蚀量的比值

D.刻蚀后表面粗糙度与原始表面粗糙度的比值

4.低压化学气相沉积（LPCVD）制备多晶硅薄膜时，常用的反应气体是（）

A.SiH?（硅烷）

B.SiCl?（四氯化硅）+H?（氢气）

C.TEOS（原硅酸四乙酯）

D.WF?（六氟化钨）+H?（氢气）

5.离子注入工艺中，用于衡量注入离子穿透深度的关键参数是（）

A.剂量（Dose）

B.能量（E