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2025年电子行业封装部封装工程师封装工艺操作手册

第1章封装基础与工艺原理

1.1封装结构与材料特性

封装基板（Substrate）作为电子产品的“骨架”，其材料选择决定了芯片的散热性能与机械强度。以高频高速芯片为例，推荐使用低介电常数（Dk3.5）的高频覆铜板（如4层或6层），其铜箔厚度需精确控制在18μm至22μm之间，以确保信号传输阻抗稳定在50Ω±5%，避免因阻抗不匹配导致的信号衰减。封装材料需具备优异的绝缘性与耐热性，例如采用聚酰亚胺（PI）或环氧树脂（EPoxy）作为基体树脂，其玻璃化转变温度（Tg）必须高于芯片工作温度，对于100℃以上功率芯片，Tg应至少达到120℃，以防止高温下材料软化导致焊点脱落。

引线框架（LeadFrame）是连接封装与芯片的“桥梁”，其材质通常采用铜合金（如Cu-Ni-P），通过激光焊接形成可靠的电气连接。焊接工艺需确保焊点电阻小于0.1Ω，且焊接后表面无氧化层，以保证低接触电阻。外引线（Lead）的尺寸与排列直接影响产品的散热效率，标准外引线直径通常为0.8mm至1.0mm，间距需符合IPC-7351标准，确保散热片（HeatSink）能紧密贴合外引线表面。封装外壳（Casing）不仅提供机械保护，还需具备电磁屏蔽功能。对于敏感信号芯片，外壳材质应采用无氧铜（Tungsten）或