CN119560885A 激光二极管和制造堆叠式高密度激光二极管阵列的方法 （新科实业有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119560885A

(43)申请公布日2025.03.04

(21)申请号202311127269.1

(22)申请日2023.09.04

(71)申请人新科实业有限公司

地址中国香港新界沙田香港科学园科技大道东六号新科中心

(72)发明人李泰文高山清市

(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限

公司44202

专利代理师郝传鑫

(51)Int.Cl.

H01S5/028(2006.01)

H01S5/20(2006.01)

H01S5/40(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图10页

(54)发明名称

激光二极管和制造堆叠式高密度激光二极

管阵列的方法

(57)摘要

CN119560885A本发明公开了激光二极管和制造堆叠式高密度激光二极管阵列的方法，其中的激光二极管包括衬底和堆叠层，堆叠层包括具有脊状条的P型层，激光二极管具有波导表面、光输出表面、反射表面和底部表面；P型层的顶面为波导表面，衬底的底面为底部表面，波导表面与底部表面相对设置；底部表面具有至少一个沟槽，沟槽的延伸方向与脊状条垂直；波导表面的两侧边缘、光输出表面和反射表面均镀有涂层。本发明提供的激光二极管和制造堆叠式高密度激光二极管阵列的方法，通过改进激光二极管的结构，在激光二极