CN119562956A 用于极紫外光光刻术的化合物及方法 （恩特格里斯公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119562956A

(43)申请公布日2025.03.04

(21)申请号202380054164.X

(22)申请日2023.06.29

(30)优先权数据

63/357,7712022.07.01US

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.01.16

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/US2023/0266032023.06.29

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/006453EN2024.01.04

(71)申请人恩特格里斯公司

地址美国马萨诸塞州

(72)发明人D·M·埃默特T·M·卡梅龙

(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287

专利代理师李婷

(51)Int.Cl.

C07F7/22(2006.01)

G03F7/004(2006.01)

G03F7/20(2006.01)

权利要求书3页说明书10页附图5页

(54)发明名称

用于极紫外光光刻术的化合物及方法

(57)摘要

CN119562956A本公开包含混合配体化合物、如环戊二烯锡(II)络合物的制备。本公开的化合物可用作极紫外光(EUV)光刻术的原子层沉积(ALD)前体。本公开的化合物也可用作EUV光刻术的等离子体化