- 2
- 0
- 约3.34千字
- 约 11页
- 2026-05-18 发布于北京
- 举报
第十一章三角形
11.3多边形及其内角和
11.3.2多边形的内角和
专版·八年级上册
1.已知一个多边形的内角和为1080°,则这个多边形为(B)
A.七边形B.八边形C.九边形D.十边形
2.若一个多边形的每个内角都等于144°,则这个多边形的边数是(A)
A.10B.11C.12D.13
3.(江岸区期末)一个正多边形的内角和等于外角和的5倍,这个正多边形的边数为(D)
A.8B.10C.11D.12
4.一个凸多边形的每一个内角都等于150°,则这个多边形的对角线条数为(B)
A.42条B.54条C.66条D.78条
5.若两个多边形的边数之比是1∶2,内角和之比为1∶3,则这两个多边形的边数分别是4和
8
.
6.(江汉区月考)如图,在四边形ABCD中,∠B=∠D=90°,AE,CF分别平分∠BAD和∠BCD,试判断
AE,CF有何位置关系并说明理由.
判断:AE∥CF.理由如下:
∵AE,CF分
您可能关注的文档
- 离散型随机变量期望及其计算方法.pdf
- JS基础知识点与常见面试题.pdf
- 江苏省宿迁市中考英语真题.pdf
- 传统发酵技术及其应用:腐乳与泡菜制作.pdf
- 中央处理器指令系统考点分析与题型分布.pdf
- YY/T 0954-2026无源外科植入物 Ⅰ型胶原蛋白植入剂.pdf
- 中国行业标准 YY/T 0954-2026无源外科植入物 Ⅰ型胶原蛋白植入剂.pdf
- 《YY/T 0954-2026无源外科植入物 Ⅰ型胶原蛋白植入剂》.pdf
- 《GB/T 45716.1-2026半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验 第1部分:MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验》.pdf
- GB/T 45716.1-2026半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验 第1部分:MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验.pdf
- 中国国家标准 GB/T 47443-2026温室气体声明的核查和审定通用要求与指南.pdf
- GB/T 15972.48-2026光纤试验方法规范 第48部分:传输特性的测量方法和试验程序 偏振模色散.pdf
- 《GB/T 15972.48-2026光纤试验方法规范 第48部分:传输特性的测量方法和试验程序 偏振模色散》.pdf
- 中国国家标准 GB/T 15972.48-2026光纤试验方法规范 第48部分:传输特性的测量方法和试验程序 偏振模色散.pdf
- GB/T 18978.129-2026人-系统交互工效学 第129部分:软件个性化导则.pdf
- 中国国家标准 GB/T 18978.129-2026人-系统交互工效学 第129部分:软件个性化导则.pdf
- 《GB/T 18978.129-2026人-系统交互工效学 第129部分:软件个性化导则》.pdf
- GB/T 45870.3-2026弹簧 测量和试验参数 第3部分:冷成形圆柱螺旋扭转弹簧.pdf
- DB23_T 3696—2024大数据安全服务人员能力评价.docx
- DB31_T 1541-2025 汽车零部件行业智能工厂建设技术规范.docx
原创力文档

文档评论(0)