摘要
硫化银(AgS)作为一种直接带隙光伏材料,因其卓越的光学与电学性能、较高的
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Shockley-Queisser(S-Q)理论效率(~30%)、可调的带隙(E=0.9-1.1eV)、宽光谱吸收、
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高热力学稳定性与化学稳定性、丰富的元素组成和低成本制造等优势,被视为一种具有
广阔发展前景的半导体材料。但其
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