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(2025年)集成电路技术试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.2025年主流先进逻辑工艺中，3nm以下节点普遍采用的晶体管结构是（）。

A.平面MOSFET

B.FinFET

C.全包围栅（GAA）晶体管

D.双栅MOSFET

2.EUV光刻技术在2025年的量产应用中，单次曝光可实现的最小线宽约为（）。

A.10nm

B.7nm

C.5nm

D.3nm

3.以下哪种封装技术可实现芯片间最短互连距离（10μm）？（）

A.球栅阵列（BGA）

B.扇出型封装（Fan-Out）

C.硅通孔（TSV）3D封装

D.倒装芯片（FlipChip）

4.低功耗集成电路设计中，动态电压频率调整（DVFS）技术主要用于降低（）。

A.静态功耗

B.动态功耗

C.漏电流功耗

D.衬底耦合噪声

5.衡量数模转换器（DAC）线性度的关键指标是（）。

A.信噪比（SNR）

B.积分非线性（INL）

C.转换速率（SlewRate）

D.电源抑制比（PSRR）

6.2025年先进存储芯片中，HBM3（高带宽内存）的典型堆叠层数及每通道带宽分别为（）。

A.4层，32GB/s

B.8层，64GB/s

C.12层，96