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2026长鑫存储校招笔试一周突击试题及答案大全

一、单项选择题（总共10题，每题2分）

1.在DRAM存储单元中，用于存储数据的基本元件是：

A.电容

B.电感

C.电阻

D.晶体管

2.以下哪项不是NANDFlash存储器的特点？

A.按页读写

B.擦除操作以块为单位

C.随机存取速度快

D.需要先擦除再写入

3.在半导体存储器中，SRAM与DRAM相比，主要优点是：

A.集成度高

B.成本低

C.速度快

D.需要刷新

4.长鑫存储主要生产的产品类型是：

A.NANDFlash

B.NORFlash

C.DRAM

D.SSD控制器

5.在芯片制造中，光刻工艺的主要作用是：

A.沉积金属层

B.定义电路图形

C.进行离子注入

D.化学机械抛光

6.以下哪种存储器属于非易失性存储器？

A.SRAM

B.DRAM

C.FlashMemory

D.SDRAM

7.在存储器测试中，MarchC算法主要用于检测：

A.功能故障

B.耦合故障

C.地址译码故障

D.动态故障

8.半导体工艺节点如28nm、14nm指的是：

A.芯片面积

B.晶体管栅极长度

C.晶圆直径

D.金属层厚度

9.在DRAM的刷新操作中，刷新周期通常为：

A.1ms

B.10ms

C.64ms

D.100ms

10.