CN119563389A 半导体装置及半导体装置的制造方法 （株式会社半导体能源研究所）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119563389A

(43)申请公布日2025.03.04

(21)申请号202380034498.0

(22)申请日2023.04.05

(30)优先权数据

2022-0687732022.04.19JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2024.10.16

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/IB2023/0534472023.04.05

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2023/203417JA2023.10.26

(71)申请人株式会社半导体能源研究所地址日本神奈川县

(72)发明人神长正美大野正胜土桥正佳岛行德肥冢纯一

(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公

司31100

专利代理师陈力奕宋俊寅

(51)Int.Cl.

H10D84/83(2025.01)

H10D84/03(2025.01)

H10D30/67(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

G09F9/00(2006.01)

G09F9/30(2006.01)

H05B33/02(2006.01)

H10K50/10(2023.01)

H10K59/00(2023.01)

权利要求书3页说明书83页附