Si与InP键合及Si基InGaAsP激光器的研制：挑战、突破与展望.docx

Si与InP键合及Si基InGaAsP激光器的研制：挑战、突破与展望

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息时代，数据的高速传输与处理成为推动社会发展的关键因素。随着信息技术的飞速发展，基于硅材料的微电子技术在大规模集成、低能耗、低成本等方面取得了巨大成功，在现代电子系统中占据了主导地位。然而，随着芯片集成度的不断提高和器件尺寸的持续缩小，电互连面临着信号延迟、带宽受限、功耗密度上升等严峻挑战，摩尔定律逐渐逼近极限，“后摩尔时代”已然来临。在此背景下，硅基光电子集成技术应运而生，成为延续摩尔定律、突破微电子技术瓶颈的重要方向。

硅基光电子集成技术融合了硅基微电子技术的成熟工艺与光子学的