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电子元器件抗ESD技术.docx

电子元器件抗ESD技术.docx

    编号：

    时间：2021年x月x日

    书山有路勤为径，学海无涯苦作舟

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    第

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    电子元器件抗ESD技术讲义

    引言

    随着电子元器件技术的发展，静电对元器件应用造成的危害越来越明显。

    一方面，电子元器件不断向轻、薄、短、小、高密度、多功能等方向发展，因而元器件的尺寸越来越小，尤其是微电子器件，COMSIC中亚微米栅已进入实用化，栅条宽度达到0.18um，栅氧厚度为几个nm或几十个?，栅氧的击穿电压小于20V。尺寸的减小，就使电子元器件对静电变得更加敏感。而大量新发展起来的特种器件如G

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