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CN119581403A 不同深度的双浅沟槽隔离结构及半导体器件的形成方法 （重庆芯联微电子有限公司）.docxVIP

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  • 2026-05-19 发布于山西
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CN119581403A 不同深度的双浅沟槽隔离结构及半导体器件的形成方法 （重庆芯联微电子有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119581403A

    (43)申请公布日2025.03.07

    (21)申请号202411524719.5

    (22)申请日2024.10.30

    (71)申请人重庆芯联微电子有限公司

    地址401332重庆市沙坪坝区西永街道西

    永大道28-2号SOHO楼601-A153

    (72)发明人刘怡良张年亨李昱廷

    (74)专利代理机构苏州石金知识产权代理事务所(普通合伙)32844

    专利代理师张璐豪

    (51)Int.Cl.

    H01L21/762(2006.01)

    H01L21/308(200

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