原创力文档摘要
后摩尔时代对场效应晶体管（FET）的特征尺寸和性能提出更高要求，这促使寻找
新型半导体材料以及设计高性能器件结构成为当前的研究热点。二硒化钨（WSe）作为
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一种具有优异电学性质的二维材料，其原子层厚度、可调带隙、高载流子迁移率和机械
柔性等特点使其在电子器件领域展现出巨大的应用潜力。已报道的二维WSe2场效应晶
体管展现出双极性行为，即沟道中
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