CN119585204A 二氧化硅粒子及其制造方法、硅溶胶、研磨组合物、研磨方法、半导体晶片的制造方法以及半导体器件的制造方法 (三菱化学株式会社).docxVIP

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  • 2026-05-19 发布于山西
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CN119585204A 二氧化硅粒子及其制造方法、硅溶胶、研磨组合物、研磨方法、半导体晶片的制造方法以及半导体器件的制造方法 (三菱化学株式会社).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119585204A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202380048348.5

(22)申请日2023.06.16

(30)优先权数据

2022-0990542022.06.20JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2024.12.19

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2023/0224432023.06.16

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2023/248949JA2023.12.28

(71)申请人三菱化学株式会社地址日本

(72)发明人岛田裕太

(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限

公司11243

专利代理师陈彦胡玉美

(51)Int.Cl.

C01B33/145(2006.01)

B24B37/00(2012.01)

C01B33/18(2006.01)

H01L21/304(2006.01)

权利要求书1页说明书19页

(54)发明名称

二氧化硅粒子及其制造方法、硅溶胶、研磨组合物、研磨方法、半导体晶片的制造方法以及半导体器件的制造方法

(57)摘要

CN119585204A本发明的目的在于,提供机械强度、研磨特性以及保存稳定性优异的二氧化硅粒子、硅溶胶、研磨组合物。本发明涉及一

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