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半导体晶圆检测工程师考试试卷及答案

试题部分

一、填空题（共10题，每题1分）

1.半导体晶圆常用的基底材料主要是______。

2.晶圆表面常见的颗粒缺陷包括______（举1例）。

3.光学显微镜中增强缺陷对比度的技术是______。

4.EDX分析技术的全称是______。

5.检测纳米级缺陷的常用设备是______。

6.晶圆光刻后检测的关键参数是______（举1例）。

7.SEM的全称是______。

8.晶圆背面检测的主要缺陷类型是______。

9.检测层间短路的常用方法是______。

10.晶圆清洗后检测的核心指标是______残留量。

二、单项选择题（共10题，每题2分）

1.以下哪种不是半导体晶圆基底材料？

A.硅B.锗C.氮化镓D.玻璃

2.暗场显微镜主要检测哪种缺陷？

A.大划痕B.纳米颗粒C.层间开路D.金属污染

3.SEM加速电压过高易导致？

A.样品荷电B.分辨率降低C.速度加快D.成本下降

4.KLA-Tencor主要产品属于？

A.光学检测B.电测试C.清洗D.光刻

5.属于电学缺陷的是？

A.表面颗粒B.线宽偏差C.层间短路D.背面划痕

6.AFM可检测的最小缺陷尺寸约为？

A.1nmB.10nmC.100nmD.1μm

7.晶圆缺陷定位用______坐标。

A.X-Y-ZB.R-θC.极坐标D.笛卡尔

8.检测内部空洞用______。

A.