基于TiO2栅介质的AlGaN_GaN微波功率晶体管工艺与性能研究.docx

基于TiO2栅介质的AlGaN/GaN微波功率晶体管工艺与性能研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代微波技术飞速发展的背景下，对微波功率器件的性能要求日益严苛，尤其是在5G通信、雷达、卫星通信以及军事电子等领域，需要具备高频率、高功率、高效率以及高可靠性的微波功率器件来满足系统不断升级的需求。AlGaN/GaN微波功率晶体管作为第三代半导体器件的杰出代表，凭借其独特的材料特性和优异的器件性能，在微波领域占据了举足轻重的地位。

AlGaN/GaN材料体系拥有诸多卓越的物理性质，如宽禁带宽度（GaN的禁带宽度约为3.4eV），这赋予了器件更高的击穿电场强度，能够承受更大的电