CN119585849A 蚀刻方法 （株式会社日立高新技术）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119585849A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202380018613.5

(22)申请日2023.07.06

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2024.07.24

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2023/0251712023.07.06

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2025/009167JA2025.01.09

(71)申请人株式会社日立高新技术地址日本

(72)发明人藤崎寿美子筱田和典

(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任

公司11021

专利代理师吴秋明

(51)Int.Cl.

H01L21/3065(2006.01)

权利要求书1页说明书9页附图6页

(54)发明名称蚀刻方法

(57)摘要

CN119585849A本发明目的在于，提供对SiGe相对于Ge以高选择比进行蚀刻的技术。本发明的蚀刻方法之一是将形成于晶片的表面的包含硅锗膜和锗膜的膜构造当中的硅锗膜作为处理对象来进行蚀刻处理的蚀刻方法，具备如下工序：在将所述晶片加热的状态下对所述膜构造供给氢自由基，在所述膜构造的表面形成改性层；在形成所述改性层的工序之后，将所述晶片冷却到0℃到室温，对所述改性层供给包含六氟化硫或包含六氟化硫和