CN119586342A 具有双侧触点的3d存储器单元及制造方法 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119586342A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202380010487.9

(22)申请日2023.07.05

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2023.09.05

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/CN2023/1058562023.07.05

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2025/007293EN2025.01.09

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430000湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人江力李贝贝袁彬许宗珂

徐伟薛磊霍宗亮

(74)专利代理机构北京永新同创知识产权代理

有限公司11376

专利代理师刘景峰林锦辉

(51)Int.Cl.

H10B41/50(2023.01)

H10B41/27(2023.01)

H10B43/27(2023.01)

H10B43/50(2023.01)

权利要求书3页说明书12页附图14页

(54)发明名称

具有双侧触点的3D存储器单元及制造方法

(57)摘要

CN119586342A本文公开了一种包括堆叠结构的存储器装置。堆叠结构具有交替的多个第一层和多个电介质层。堆叠结构具有第一表