CN119586344A 半导体器件及其制备方法、存储器系统 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119586344A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202380009522.5

(22)申请日2023.05.30

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2023.06.29

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/CN2023/0972802023.05.30

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/243833ZH2024.12.05

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430205湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人杨涛赵冬雪孙昌志周文犀夏志良霍宗亮

(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限

公司44570

专利代理师孟霞

(51)Int.Cl.

H10B53/30(2023.01)

H10B53/20(2023.01)

(54)发明名称

半导体器件及其制备方法、存储器系统

(57)摘要

CN119586344A本申请提供一种半导体器件及其制备方法及存储器系统，半导体器件包括第一半导体结构，第一半导体结构包括：第一选择晶体管，包括第一沟道层；第二选择晶体管，包括栅极；及电容结构，包括第一电极层；第一电极层的两端分别与第二选择晶体管的栅极及第一选择晶体管的第一沟道层连接。本