CN119586348A 半导体装置、电力变换装置以及半导体装置的制造方法 （三菱电机株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119586348A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202280098295.3

(22)申请日2022.07.29

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.01.17

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2022/0292482022.07.29

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/024073JA2024.02.01

(71)申请人三菱电机株式会社地址日本

(72)发明人福井裕富永贵亮山城祐介

(74)专利代理机构中国贸促会专利商标事务所

有限公司11038

专利代理师李今子

(51)Int.Cl.

H10D30/60(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

权利要求书2页说明书10页附图18页

(54)发明名称

半导体装置、电力变换装置以及半导体装置

的制造方法

(57)摘要

CN119586348A半导体装置具备：第2导电类型的第1柱区域（13），形成于被埋入有栅电极（8）的多个栅极沟槽（6）的下方；以及第1导电类型的第2柱区域（14），形成于相邻的第1柱区域（13）之间，杂质的峰值浓度比漂移层（2）高。第2柱区域（14）包括高浓度区域（14a）和设置于第2柱区域（14）的至